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J-GLOBAL ID：200903062115440897

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 岡 秀明
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992177896
Publication number (International publication number)：1994020996
Application date： Jul. 06, 1992
Publication date： Jan. 28, 1994
Summary：

【要約】【目的】高アスペクト比の微細コンタクトのコンタクト抵抗を低減するためのコンタクト構造及びその製造方法を提供する。【構成】半導体基板の所定領域に形成された不純物領域と、前記不純物領域の上部に開孔部を有する層間絶縁膜と、前記開孔部内に被着した不純物をドープしたバリア層を少なくとも有する。【効果】コンタクト径がサブミクロン以下でアスペクト比が高いコンタクトホールに対して、P+拡散層、N+拡散層共、低抵抗でオーミック性の優れたコンタクト構造が形成可能となった。従来のようなコンタクトホール開孔後の、イオンインプラ工程や不純物の活性化のための高温アニール工程が不要となり、より簡便なプロセスで、不純物の再分布、熱ストレスによるダメージ等を生ずることもなく、優れたコンタクト特性を際限良く実現できる。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、前記半導体基板の所定領域に形成された不純物領域と、前記不純物領域の上部に開孔部を有する層間絶縁膜と、少なくとも前記開孔部内に形成したチタンと窒素を主たる構成元素とするバリア層を少なくとも有し、前記バリア層のチタンと窒素の組成比が膜厚方向で一定でなく、前記不純物領域側でTiリッチとすることを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/26