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J-GLOBAL ID：200903062121067529

半導体デバイス成長用マスクおよび半導体デバイスの製造方法

Inventor： 河野 健治
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (1)： 谷 義一 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991243505
Publication number (International publication number)：1993082909
Application date： Sep. 24, 1991
Publication date： Apr. 02, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 遷移領域におけるエキシトンの影響を抑制し、その吸収による挿入損失を低減化する。【構成】 基板上にそれぞれ異なる機能を有する2つ以上の機能部を有する半導体デバイスを作成するためのマスクであって、2つ以上の機能部を接続する接続導波路用領域におけるマスクの幅W3が、機能部を成長させるための機能部用領域におけるマスクの幅W1及びW2よりも狭い。

Claim (excerpt)：

基板上にそれぞれ異なる機能を有する2つ以上の機能部を有する半導体デバイスを作成するためのマスクであって、前記2つ以上の機能部を接続する接続導波路用領域におけるマスク幅が、前記機能部を成長させるための機能部用領域におけるマスク幅よりも狭いことを特徴とする半導体デバイス成長用マスク。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/027