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J-GLOBAL ID：200903062157728190

放電プラズマ薄膜製造装置

Inventor：
登坂 昌久

About 登坂 昌久

, 
西口 直樹

About 西口 直樹

, 
中尾 整

About 中尾 整


Applicant, Patent owner：
積水化学工業株式会社

About 積水化学工業株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999365118
Publication number (International publication number)：2001181844
Application date： Dec. 22, 1999
Publication date： Jul. 03, 2001
Summary：
【要約】【課題】成膜速度を高速化をはかり、また印加電圧の低電圧化を達成する。さらに連続成膜を行う際に基材が傷つく可能性を少なくする。【解決手段】対向電極間に電界を印加して放電プラズマを発生させ、その放電プラズマを用いて基材上に薄膜を形成する薄膜製造装置において、対向電極の少なくとも一方の電極表面(例えばロール電極11)に、チタン酸バリウム層111(または二酸化ジルコニウム層)と酸化アルミニウム層112の2層からなる固体誘電体を、その酸化アルミニウム層112を表層として積層する。
Claim (excerpt)：
混合ガス雰囲気中で、対向電極間に電界を印加して放電プラズマを発生させ、その放電プラズマを用いて基材上に薄膜を形成する薄膜製造装置において、対向電極の少なくとも一方の電極表面に、チタン酸バリウム層または二酸化ジルコニウム層と酸化アルミニウム層の2層からなる固体誘電体が、その酸化アルミニウム層を表層として積層されていることを特徴とする放電プラズマ薄膜製造装置。
IPC (4)：
C23C 16/40 ,  C08J 7/00 306 ,  C23C 26/00 ,  H05H 1/24
FI (4)：
C23C 16/40 ,  C08J 7/00 306 ,  C23C 26/00 D ,  H05H 1/24
F-Term (35)：
4F073AA28 ,  4F073BA24 ,  4F073CA01 ,  4F073CA06 ,  4F073CA62 ,  4F073CA63 ,  4F073CA65 ,  4F073CA70 ,  4F073HA05 ,  4F073HA10 ,  4F073HA12 ,  4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA14 ,  4K030AA16 ,  4K030AA18 ,  4K030BA44 ,  4K030CA07 ,  4K030CA12 ,  4K030EA05 ,  4K030EA11 ,  4K030FA03 ,  4K030GA14 ,  4K030KA15 ,  4K030KA47 ,  4K044AA03 ,  4K044AA06 ,  4K044BA12 ,  4K044BA13 ,  4K044BB03 ,  4K044BB04 ,  4K044BC14 ,  4K044CA11 ,  4K044CA14 ,  4K044CA36
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)

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