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J-GLOBAL ID：200903062165931476

パターン形成材料及びパターン形成方法

Inventor： 遠藤 政孝 ,  白井 正充 ,  角岡 正弘
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体先端テクノロジーズ
Agent (1)： 溝井 章司 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999024801
Publication number (International publication number)：2000221672
Application date： Feb. 02, 1999
Publication date： Aug. 11, 2000
Summary：

【要約】【課題】 ポジ型の表面解像プロセスを実現することを目的とする。【解決手段】 加熱されると酸を発生させる基とエネルギービームが照射されると塩基を発生させる基とを含む重合体からなるパターン形成材料を基板上に塗布してレジスト膜を形成する第1の工程と、前記レジスト膜に所望のパターン形状を持つマスクを介してエネルギービームを照射して、前記レジスト膜の露光部に前記重合体から塩基を発生させる第2の工程と、前記レジスト膜を加熱して前記重合体から酸を発生させ、前記レジスト膜の露光部において前記重合体から発生した塩基と前記重合体から発生した酸とを中和させる第3の工程と、前記レジスト膜の未露光部の表面にマスクを形成する第4の工程と、前記マスクによりレジストパターンを形成する第5の工程とを備えている。

Claim (excerpt)：

加熱されると酸を発生させる基とエネルギービームが照射されると塩基を発生させる基とを含む重合体からなることを特徴とするパターン形成材料。

IPC (4)：

G03F 7/004 503 ,  C08F212/14 ,  C08F220/34 ,  H01L 21/027

FI (4)：

G03F 7/004 503 B ,  C08F212/14 ,  C08F220/34 ,  H01L 21/30 502 R

F-Term (28)：

2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AB16 ,  2H025AC01 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BG00 ,  2H025BH03 ,  2H025EA04 ,  2H025FA03 ,  2H025FA12 ,  2H025FA19 ,  2H025FA41 ,  4J100AB07Q ,  4J100AL08P ,  4J100BA46P ,  4J100BA56Q ,  4J100BB00P ,  4J100BB00Q ,  4J100BC43P ,  4J100BC43Q ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100JA37 ,  4J100JA38