プラズマCVD装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：樺山亨 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998176188
Publication number (International publication number)：2000008170
Application date： Jun. 23, 1998
Publication date： Jan. 11, 2000
Summary：

【要約】【課題】長尺・大面積の基板上への成膜を行うことができ、且つ高い成膜速度が得られ、粉体付着による欠陥の発生が少ない、膜特性の均一性の良い薄膜が得られるプラズマCVD装置を提供する。【解決手段】本発明は、反応容器1と、該反応容器に反応ガスを導入する手段2と、反応ガスを排気する手段3と、反応容器中に配置された被成膜円筒状基体4と、反応容器内にプラズマを発生させる30〜600MHzの高周波電力を印加する手段7〜9を有し、プラズマCVD法による成膜を行うプラズマCVD装置において、円筒状基体4の外側に該円筒状基体と中心軸を同じくした円周上の位置に複数の棒状の電力供給電極5と複数の棒状のアース電極6を設けると共に、該円筒状基体4を回転する機構10を設けた。これにより0.1〜10Paの低圧で電力供給電極とアース電極の間で安定した放電が可能となり、欠陥が少ない均一性の良い膜が高い成膜速度で得られる。

Claim (excerpt)：

反応容器と、該反応容器に反応ガスを導入する手段と、該反応ガスを排気する手段と、該反応容器中に配置された被成膜円筒状基体と、該反応容器内にプラズマを発生させる30MHz〜600MHzの高周波電力を印加する手段を有し、プラズマCVD法による成膜を行うプラズマCVD装置において、前記円筒状基体の外側の該円筒状基体と中心軸を同じくした円周上の位置に複数の棒状の電力供給電極と複数の棒状のアース電極を設けると共に、該円筒状基体を回転する機構を設けることを特徴とするプラズマCVD装置。

IPC (3)：

C23C 16/50 , C23C 16/44 , C23C 16/52

FI (3)：

C23C 16/50 , C23C 16/44 G , C23C 16/52

F-Term (23)：

4K030AA06 , 4K030AA07 , 4K030AA08 , 4K030AA09 , 4K030AA13 , 4K030AA16 , 4K030AA17 , 4K030AA18 , 4K030BA29 , 4K030BA36 , 4K030BA40 , 4K030BA44 , 4K030BB05 , 4K030CA14 , 4K030FA03 , 4K030GA06 , 4K030JA18 , 4K030KA05 , 4K030KA16 , 4K030KA23 , 4K030KA30 , 4K030LA15 , 4K030LA17

Return to Previous Page