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J-GLOBAL ID：200903062179856230

シリコン基板の加工方法

Inventor： 茅野 祐治 ,  跡部 光朗
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997158773
Publication number (International publication number)：1999008222
Application date： Jun. 16, 1997
Publication date： Jan. 12, 1999
Summary：

【要約】【課題】被エッチング面積が増加してもエッチングレートが低下しないシリコン基板の加工方法を提供する。【解決手段】シリコン基板表面にドライエッチングのためのマスク層を形成する第1の工程と、前記マスク層に任意形状の貫通穴パターンを形成する第2の工程と、前記貫通穴パターン内部に穴開け加工を施して前記貫通穴パターンより小さい貫通穴を形成する第3の工程と、前記貫通穴パターンより小さい貫通穴形成後に異方性ドライエッチングによって前記シリコン基板表面に垂直な任意形状の貫通穴を形成する第4の工程と、を有することを特徴とするシリコン基板の加工方法。

Claim (excerpt)：

シリコン基板表面にドライエッチングのためのマスク層を形成する第1の工程と、前記マスク層に任意形状の貫通穴パターンを形成する第2の工程と、前記貫通穴パターン内部に穴開け加工を施して前記貫通穴パターンより小さい貫通穴を形成する第3の工程と、前記貫通穴パターンより小さい貫通穴形成後に異方性ドライエッチングによって前記シリコン基板表面に垂直な任意形状の貫通穴を形成する第4の工程と、を有することを特徴とするシリコン基板の加工方法。