薄膜形成装置およびこれを用いた薄膜形成方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997118395
Publication number (International publication number)：1998310867
Application date： May. 08, 1997
Publication date： Nov. 24, 1998
Summary：

【要約】【課題】プラズマCVD法等の薄膜形成装置において、膜質に優れ、また成膜速度が大きく生産性に優れた薄膜を得るための薄膜形成装置を提供する。およびそれを用いた薄膜形成方法と得られる薄膜を提供する。【解決手段】プラズマCVD装置15において、プラズマを発生させる電極6とガス導入口11との間に触媒電極9、および触媒電極用電源10を配設する。かかるプラズマCVD装置により、触媒電極によりガスを活性化しつつ、プラズマ反応による薄膜形成工程を促進する。【効果】上記の薄膜形成装置を、磁気テープの保護層または磁気ヘッドの保護層の形成に適用すれば、形成される薄膜の膜質および膜形成速度の向上が計れる。

Claim (excerpt)：

真空槽と、前記真空槽中でプラズマを発生させる電極と、前記真空槽へのガス導入口とを備えた薄膜形成装置において、前記電極と前記ガス導入口との間に、触媒電極と、前記触媒電極用電源とを備えることを特徴とする薄膜形成装置。

IPC (5)：

C23C 16/50 , C23C 16/44 , G11B 5/187 , G11B 5/84 , H05H 1/46

FI (5)：

C23C 16/50 , C23C 16/44 C , G11B 5/187 T , G11B 5/84 B , H05H 1/46 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

特開昭62-132800
ダイヤモンドライクカーボン膜の製膜法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-156098 Applicant：東燃株式会社
ダイヤモンド状薄膜の合成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-109661 Applicant：松下電器産業株式会社

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