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J-GLOBAL ID：200903062201037442

半導体発光装置

Inventor： 小屋 賢一 ,  井上 登美男
Applicant, Patent owner： 松下電子工業株式会社
Agent (1)： 滝本 智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997283318
Publication number (International publication number)：1999121810
Application date： Oct. 16, 1997
Publication date： Apr. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】 たとえばAgを混入した導電性のペーストによって発光素子を固定するアセンブリーであっても、光取り出し面以外からの発光を効率良く回収して外部量子効率を向上させる。【解決手段】 p-n接合の半導体層を透明の結晶基板の上に積層した発光素子を接着用のペーストによりリードフレームまたはプリント基板の素子搭載面に接着するに際し、結晶基板とリードフレームまたはプリント基板の素子搭載面との間を、少なくとも2以上のスポット的なペーストの塗布領域によって接着し、ペーストを導電性とする場合にAgを混入したものを使用しても、ペーストの塗布範囲を小さくしたことによりAgペーストによる光の吸収度を抑え、素子搭載面側からの反射光を光取り出し面側へ効率よく回収する。

Claim (excerpt)：

p-n接合の半導体層を透明の結晶基板の上に積層した発光素子と、この発光素子を搭載して接着用のペーストにより固定するリードフレームもしくはプリント基板とを備える半導体発光装置であって、結晶基板とリードフレームまたはプリント基板の素子搭載面との間を、少なくとも2以上のスポット的なペーストの塗布領域によって接着してなる半導体発光装置。