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J-GLOBAL ID：200903062232641313

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子

Inventor： 小池 正好 ,  浅見 慎也
Applicant, Patent owner： 豊田合成株式会社
Agent (1)： 藤谷 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995086084
Publication number (International publication number)：1996264832
Application date： Mar. 17, 1995
Publication date： Oct. 11, 1996
Summary：

【要約】【目的】より発光輝度を向上させた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を提供すること。【構成】多重量子井戸構造(MQW) において井戸層52は、その両側にバリア層51としてバッドギャップの大きい層が取り囲んでいるため、バリア層51で発生したキャリアがほとんど井戸層52に流れ込み、発光に寄与する。そのため発光輝度が向上し、出力が増加する構造を有している。ここで井戸層52にアクセプターとドナーとを同時に添加してやると、井戸層52内では、アクセプターレベルとドナーレベル間の、より長波長の発光があり、キャリアが多いことから発光輝度は高く維持される。

Claim (excerpt)：

発光層を挟むクラッド層の両接合をダブルヘテロ構造とした窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、前記発光層を、アクセプターとドナーとを同時ドープした、少なくとも一層以上の多重量子井戸構造(MQW) としたことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 化合物半導体超格子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-083755   Applicant：日本電信電話株式会社

Cited by examiner (1)

• 化合物半導体超格子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-083755   Applicant：日本電信電話株式会社