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J-GLOBAL ID：200903062243029520

半導体圧力センサの製造方法

Inventor： 江田 和夫 ,  西條 隆司
Applicant, Patent owner： 松下電工株式会社
Agent (1)： 倉田 政彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998042647
Publication number (International publication number)：1999243213
Application date： Feb. 24, 1998
Publication date： Sep. 07, 1999
Summary：

【要約】【課題】台座接合後にもチップを破壊することなく、圧力導入孔とダイヤフラムとの位置ずれの量が許容範囲内であるかどうかを確認することのできる半導体圧力センサの製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板の表面に複数の感歪素子を形成し、各感歪素子の裏面側よりエッチングを行うことにより複数のダイヤフラムを形成して成る半導体圧力センサウェハと、複数の圧力導入孔を有する台座とを接合して半導体圧力センサを製造する方法において、半導体圧力センサウェハ又は台座の少なくとも一方に、圧力導入孔とダイヤフラムとの位置ずれの有無を確認するためのパターンを設け、半導体圧力センサウェハと台座とを接合した状態又は位置合わせした状態で、前記パターンを観察することにより位置ずれの有無を確認する。

Claim (excerpt)：

半導体基板の表面に複数の感歪素子を形成し、各感歪素子の裏面側よりエッチングを行うことにより複数のダイヤフラムを形成して成る半導体圧力センサウェハと、複数の圧力導入孔を有する台座とを接合して半導体圧力センサを製造する方法において、半導体圧力センサウェハ又は台座の少なくとも一方に、圧力導入孔とダイヤフラムとの位置ずれの有無を確認するためのパターンを設け、半導体圧力センサウェハと台座とを接合した状態又は位置合わせした状態で、前記パターンを観察することにより位置ずれの有無を確認することを特徴とする半導体圧力センサの製造方法。

IPC (2)：

H01L 29/84 ,  G01L 9/04 101

FI (2)：

H01L 29/84 B ,  G01L 9/04 101