Pat

J-GLOBAL ID：200903062243809453

集積化半導体光素子の製造方法

Inventor： 山田 光志 ,  村井 仁 ,  小川 洋
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社
Agent (1)： 大垣 孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994297242
Publication number (International publication number)：1996162706
Application date： Nov. 30, 1994
Publication date： Jun. 21, 1996
Summary：

【要約】【目的】 第1及び第2光導波路層側のストライプの中心軸ずれを生じない集積化半導体光素子の製造方法を提供する。【構成】 下地上に島状の第1光導波路予備層を形成した後、第1光導波路予備層の周辺を第2光導波路予備層で埋め込む工程と、第1及び第2光導波路予備層の上側表面にわたってストライプ状の第1マスク30を形成した後、これら予備層に対しエッチングを行ってストライプ方向に連続する第1及び第2光導波路層を含むストライプ状のリッジ36を形成する工程と、第2光導波路層側のリッジ34の部分の全体を第2マスク38で覆う工程と、第1光導波路層側のリッジ32の両側面に接する領域であってエッチングによる露出面上に第1埋込み層を形成する工程と、第2及び第1マスクを順次除去した後、第2光導波路層側のリッジの両側面に接する領域であって露出面上に第2埋込み層を形成する工程とを含む。

Claim (excerpt)：

ストライプ状の光導波路の両側面に接する領域であってストライプ方向に異なる材料を埋め込んだ集積化半導体光素子を製造する方法において、(a)下地上に島状の第1光導波路予備層を形成した後、該第1光導波路予備層の周辺を第2光導波路予備層で埋め込む工程と、(b)前記第1及び第2光導波路予備層の上側にわたってストライプ状の第1マスクを形成した後、これら予備層に対しエッチングを行ってストライプ方向に連続する第1及び第2光導波路層を含むストライプ状のリッジを形成する工程と、(c)前記第2光導波路層側の前記リッジの部分の全体を第2マスクで覆う工程と、(d)前記第1光導波路層側の前記リッジの両側面に接する領域であって前記エッチングによる露出面上に第1埋込み層を形成する工程と、(e)前記第2マスク及び第1マスクを順次除去した後、前記第2光導波路層側の前記リッジの両側面に接する領域であって前記第2マスクを除去した露出面上に第2埋込み層を形成する工程とを含むことを特徴とする集積化半導体光素子の製造方法。