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J-GLOBAL ID:200903062244054340
受光素子ならびに受光素子アレイおよび画像検出装置ならびに画像検出方法
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
田澤 博昭 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993314101
Publication number (International publication number):1995142761
Application date: Nov. 18, 1993
Publication date: Jun. 02, 1995
Summary:
【要約】【目的】 3次元空間内の物体の位置ならびに大きさ等の情報を高速に検出する小型な受光素子を得る。【構成】 半導体基板56は入射した光を吸収して光電荷を発生する。この半導体基板の表面に、正負に亙って制御電圧VBが印加される第1の電極53と、光電流を出力する第2の電極とが金属-半導体接合されて接続されている。これにより半導体表面付近に空乏層57、58がそれぞれ形成されて、これらが制御電圧により広がりがアンバランスになり、これに入射した光による光電荷をいずれか一方に流す。この結果、第2の電極54から正または負の電流が流れる。したがって、この受光素子は制御電圧VBにて光検出感度が設定される素子を形成する。
Claim (excerpt):
光を吸収する半導体に空乏層を形成して、該空乏層に吸収した光に応じて光電流を発生させる受光素子であって、該素子は、前記半導体のほぼ対称な位置にそれぞれ空乏層が形成され、該半導体に、空乏層の深さをそれぞれ変化させる正負に亙って変化可能な制御電圧が印加される第1の電極と、該第1の電極と対称な位置に配置されて前記空乏層に誘起した光電流を出力する第2の電極とが接続されていることを特徴とする受光素子。
IPC (8):
H01L 31/108
, G01B 11/00
, G01B 11/24
, G01J 1/02
, H01L 27/146
, H01L 27/15
, H01L 31/10
, H04N 5/335
FI (3):
H01L 31/10 C
, H01L 27/14 A
, H01L 31/10 A
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