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J-GLOBAL ID：200903062245929790

均一磁場発生方法

Inventor： 能登 宏七 ,  千葉 利実
Applicant, Patent owner： 科学技術振興事業団
Agent (1)： 西澤 利夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000339164
Publication number (International publication number)：2002143120
Application date： Nov. 07, 2000
Publication date： May. 21, 2002
Summary：

【要約】【課題】 MRI装置に有用で、均一かつ安定した高磁場を、低コストで簡便に発生させることが可能な均一磁場発生方法を提供する。【解決手段】 2つの高温超伝導バルク材を着磁させ、ヘルムホルツコイルと同様に平行かつ同軸に配置させることにより、2つの高温超伝導バルク材の中間に均一な高磁場を発生させる。

Claim (excerpt)：

2つの高温超伝導バルク材を着磁させ、ヘルムホルツコイルと同様に平行かつ同軸に配置させることにより、2つの高温超伝導バルク材の中間に均一な高磁場を発生させることを特徴とする均一磁場発生方法。

IPC (4)：

A61B 5/055 ,  G01R 33/38 ,  H01F 6/00 ZAA ,  H01F 6/04 ZAA

FI (4)：

A61B 5/05 331 ,  G01N 24/06 510 Z ,  H01F 7/22 ZAA Z ,  H01F 7/22 ZAA G

F-Term (9)：

4C096AA01 ,  4C096AB32 ,  4C096AD08 ,  4C096CA01 ,  4C096CA02 ,  4C096CA31 ,  4C096CA36 ,  4C096CA51 ,  4C096CA70