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J-GLOBAL ID：200903062267367540

多入力電界効果型トランジスタ

Inventor： 菅谷 慎二
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 青木 朗 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992258421
Publication number (International publication number)：1994112442
Application date： Sep. 28, 1992
Publication date： Apr. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】 複数のコントロールゲートが容量結合するフローティングゲートを備えた多入力電界効果型トランジスタに関し、フィールドでのプログラムが可能となる多入力電界効果型トランジスタを提供することおよびフローティングゲートの寄生抵抗の低減を可能にする多入力電界効果型トランジスタを提供することである。【構成】 コントロールゲートの少なくとも一つ2Aを、浮遊ゲート型の不揮発性メモリの浮遊ゲートと接続しているように構成する。さらに、フローティングゲートを多結晶シリコン層および該多結晶シリコン層の少なくとも一部の上に形成された高融点金属シリサイド層で構成するようにする。

Claim (excerpt)：

複数のコントロールゲートが容量結合するフローティングゲートを備えた電界効果型トランジスタにおいて、前記コントロールゲートの少なくとも一つを、浮遊ゲート型の不揮発性メモリの浮遊ゲートと接続していることを特徴とする多入力電界効果型トランジスタ。

IPC (2)：

H01L 27/115 ,  H01L 29/784

FI (2)：

H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 301 G