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J-GLOBAL ID：200903062270850457

半導体基板の製造方法

Inventor： 浜口 功 ,  中島 辰雄 ,  矢野 孝幸 ,  日月 應治 ,  津森 泰男
Applicant, Patent owner： 新日本製鐵株式会社
Agent (1)： 八田 幹雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994237896
Publication number (International publication number)：1996102448
Application date： Sep. 30, 1994
Publication date： Apr. 16, 1996
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、シリコン基板に酸素イオンを注入し、熱処理することにより絶縁特性が良くかつシリコン膜との界面が平坦な埋め込み酸化膜を有する高品質なSOI基板を製造する方法を提供する。【構成】 酸素イオン注入後に行う埋め込み酸化膜形成のための熱処理工程において、少なくとも雰囲気の酸素分圧が5×103 Pa以上で、温度が1100°C以上、好ましくは1330°C以上、1410°C以下の熱処理を行うことにより高品質なSOI基板が製造できる。

Claim (excerpt)：

半導体シリコン基板の一表面から酸素イオンをイオン注入することによって、該半導体シリコン基板の中に酸素の高濃度層を形成し、その後該半導体シリコン基板に熱処理を施すことによって、イオン注入した酸素とシリコンとを化学反応せしめて、絶縁物である二酸化シリコン膜を該半導体シリコン基板内部に形成する工程において、該熱処理工程に少なくとも雰囲気の酸素分圧が5×103 Pa以上である熱処理工程を含むことを特徴とする半導体基板の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/265 ,  H01L 27/12

FI (3)：

H01L 21/265 P ,  H01L 21/265 A ,  H01L 21/265 J