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J-GLOBAL ID:200903062288254738
レベル変換回路
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
,
Agent (1):
佐藤 一雄 (外3名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996319440
Publication number (International publication number):1998163855
Application date: Nov. 29, 1996
Publication date: Jun. 19, 1998
Summary:
【要約】【課題】 貫通モードの無駄な電流による消費電力を削減し、スイッチ動作を迅速にし、振幅が所定値まで十分にふれない入力信号をCMOSレベルにレベル変換する。【解決手段】 入力inが、ローレベルからハイレベルに向けて遷移を開始した場合、nチャネルMOSトランジスタN3がオフあるから、インバータINV-D1はダイオードD5を介してGNDに接続される回路構成となっている。さらに、入力inの電圧が徐々に増大するにつれて、インバータINV-D1側では、インバータINV-E1の出力a(ハイレベル)により、nチャネルMOSトランジスタN3がオンとなり、出力ab は、入力inが十分に振幅がなくても接地電位GNDにレベル変換される。インバータINV-E1側でも同様にして相補的に回路が動作し、出力aは、入力inb が十分に振幅がなくても電源Vccにレベル変換される。
Claim (excerpt):
非反転入力信号が入力され反転出力を出力する第1のインバータと、反転入力信号が入力され非反転出力を出力する第2のインバータと、前記第1のインバータと電源及び接地電位との間にそれぞれ直列接続され、前記第2のインバータの出力により制御される第1のゲート部と、前記第1のインバータと電源及び接地電位との間にそれぞれ直列接続され、前記第1のゲート部をバイパスする第1の方向性バイパス部と、前記第2のインバータと電源及び接地電位との間にそれぞれ直列接続され、前記第1のインバータの出力により制御される第2のゲート部と、前記第2のインバータと電源及び接地電位との間にそれぞれ直列接続され、前記第2のゲート部をバイパスする第2の方向性バイパス部とを備えたレベル変換回路。
IPC (2):
H03K 19/0185
, H03K 19/0948
FI (2):
H03K 19/00 101 E
, H03K 19/094 B
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