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J-GLOBAL ID：200903062292864125

強誘電体薄膜の製造方法

Inventor： 渡辺 均 ,  安達 日出夫 ,  由森 博之
Applicant, Patent owner： オリンパス光学工業株式会社
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991042029
Publication number (International publication number)：1993085704
Application date： Mar. 07, 1991
Publication date： Apr. 06, 1993
Summary：

【要約】【目的】本発明は、PZT系強誘電体薄膜のPb欠乏,膜絶縁性の不具合を飛躍的に改善して高度な電子デバイス用途にも供し得ることを主要な目的とする。【構成】基体上に第1の前駆体溶液を塗布し、加熱処理して第1の薄膜を形成する工程と、前記第1の薄膜上に前記第1の前駆体溶液よりも鉛成分を多く含む第2の前駆体溶液を塗布し、加熱処理して第2の薄膜を形成する工程と、前記第1・第2の薄膜を焼成して複合酸化物強誘電体の薄膜を形成する工程とを具備する事を特徴とする強誘電体薄膜の製造方法。

Claim (excerpt)：

基体上に第1の前駆体溶液を塗布し、加熱処理して第1の薄膜を形成する工程と、前記第1の薄膜上に前記第1の前駆体溶液よりも鉛成分を多く含む第2の前駆体溶液を塗布し、加熱処理して第2の薄膜を形成する工程と、前記第1・第2の薄膜を焼成して複合酸化物強誘電体の薄膜を形成する工程とを具備する事を特徴とする強誘電体薄膜の製造方法。

IPC (4)：

C01B 13/14 ,  C01G 1/00 ,  C01G 25/00 ,  G11C 11/22

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭63-009705
  
• 特開昭50-121828