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J-GLOBAL ID：200903062298284287

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 木村 親夫 ,  中川 敦
Applicant, Patent owner： 新日本無線株式会社
Agent (1)： 櫻井 俊彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996225871
Publication number (International publication number)：1998056175
Application date： Aug. 08, 1996
Publication date： Feb. 24, 1998
Summary：

【要約】〔課題〕良質で安定な酸化物の層を有するMISFETなどの半導体装置及びその製造方法を提供する。〔解決手段〕半導体の層(2) の表面に形成されたゲート電極などの一部を構成する白金族元素の酸化物を還元して形成して白金族元素を含む層(8a)と、この白金族元素を含む層(8a)の直下にゲート酸化膜などの半導体の層を酸化して形成した半導体の酸化物の層(3) とを備えている。この構成の半導体装置は、半導体の層の表面(2) に白金族元素の酸化物の層を形成したのち,この半導体の層(2) の表面を白金族元素の酸化物の熱分解温度以上に加熱することにより、白金族元素の酸化物を還元してこの白金族元素を含む層(8a)を形成すると共に、この白金族元素を含む層(8a)の直下の半導体の層を酸化して酸化物の層を形成することにより製造される。

Claim (excerpt)：

半導体の層の表面に、白金族元素の酸化物を還元して形成した白金族元素を含む層と、この白金族元素を含む層の直下に、前記半導体の層を酸化して形成した半導体の酸化物の層とを備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (5)：

H01L 29/78 ,  H01L 29/43 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (5)：

H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/46 R ,  H01L 29/62 G ,  H01L 29/78 301 P ,  H01L 29/80 M

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 特開昭56-071942
  
• 特開昭60-021530