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J-GLOBAL ID：200903062303468863

光半導体装置及びその製造方法

Inventor： 堀田 一 ,  工藤 保彦 ,  松倉 壽夫 ,  宇都宮 次郎 ,  平川 明夫 ,  黒沢 清
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社
Agent (1)： 柿本 恭成
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997007517
Publication number (International publication number)：1997326535
Application date： Jan. 20, 1997
Publication date： Dec. 16, 1997
Summary：

【要約】【課題】 LDやPDの光半導体素子が、基板に対して縦、横、高さ方向に高精度に搭載接続された光半導体装置を提供する。【解決手段】 Si基板10の凹部11の表面に形成された電極パターン13に、蒸着、メッキ、印刷等により、半田30を所定量供給する。LDチップ20を自動搭載機によりピックアップして、LDチップ20のバンプ22が凹部11に入るように搭載する。そして、リフロー装置等により加熱して、半田30を溶解する。半田30が溶解すると、バンプ22が凹部11の中心部に移動して、LDチップ20は、Si基板10の所定の位置に密着接続される。凹部11はエッチングにより、バンプ22は蒸着等により、それぞれ正確な位置に形成され、半田30の量も凹部11から溢れないように制御されているので、基板10に対してLDチップ20を高精度に搭載することができる。

Claim (excerpt)：

第1の表面に形成された第1の電極パターン、該第1の表面の裏面側の第2の表面に形成された第2の電極パターン、及び所定の位置に形成された発光部または受光部を有する光半導体素子と、前記光半導体素子を搭載して前記第2の電極パターンと電気的な接続を行う基板とを、備えた光半導体装置において、前記基板は、前記光半導体素子の搭載位置合わせのために所定の位置に形成され所定の大きさを有する単数または複数の凹部と、該凹部の内部表面に形成され前記第2の電極パターンと接続するための第3の電極パターンとを有し、前記光半導体素子は、前記単数または複数の凹部にそれぞれ対応して前記第2の電極パターン上に形成され、前記第2の表面または該第2の電極パターンと前記基板の表面とが密着した状態で対応する該凹部に嵌め合わせた時に、その凹部により一定の範囲内の位置に固定される大きさの凸部を有し、前記第2の電極パターンと前記第3の電極パターンとを半田で接続したことを特徴とする光半導体装置。

IPC (6)：

H01S 3/18 ,  H01L 27/15 ,  H01L 31/02 ,  H05K 1/02 ,  H05K 1/18 ,  H05K 13/04

FI (6)：

H01S 3/18 ,  H01L 27/15 C ,  H05K 1/02 A ,  H05K 1/18 F ,  H05K 13/04 M ,  H01L 31/02 B