Pat
J-GLOBAL ID：200903062323815284
半導体装置及び半導体装置の製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996328339
Publication number (International publication number)：1998173175
Application date： Dec. 09, 1996
Publication date： Jun. 26, 1998
Summary：
【要約】【課題】 トレンチゲート型半導体装置において、オン抵抗を低減しつつスイッチング特性を改善させることができる。【解決手段】 第1導電型の半導体基板1上に形成された第2導電型のドリフト領域2と、ドリフト領域の一方の主面に選択的に形成された第1導電型のベース領域3と、ベース領域中に選択的に形成された第2導電型のソース領域4と、ソース領域及びベース領域を貫通してドリフト領域に達する深さで形成されたトレンチ5内に絶縁膜6を介して形成されたゲート電極7と、ベース領域及びソース領域を短絡して接続されたソース金属電極9と、ゲート電極と接続されたゲート金属電極10と、半導体基板と接続されたドレイン電極とからなる半導体装置において、ゲート電極におけるドリフト領域側へ突き出した部分の抵抗値が、ドリフト領域側に突き出さない部分の抵抗値よりも大きい7a,7b半導体装置。
Claim (excerpt)：
第1導電型の半導体基板上に形成された第2導電型のドリフト領域と、前記ドリフト領域の一方の主面に選択的に形成された第1導電型のベース領域と、前記ベース領域中に選択的に形成された第2導電型のソース領域と、前記ソース領域及び前記ベース領域を貫通して前記ドリフト領域に達する深さで形成されたトレンチ内に絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記ベース領域及び前記ソース領域を短絡して接続されたソース金属電極と、前記ゲート電極と接続されたゲート金属電極と、前記半導体基板と接続されたドレイン電極とからなる半導体装置において、前記ゲート電極における前記ドリフト領域側へ突き出した部分の抵抗値が、前記ドリフト領域側に突き出さない部分の抵抗値よりも大きいことを特徴とする半導体装置。
FI (3)：
H01L 29/78 652 K
, H01L 29/78 653 C
, H01L 29/78 655 A
