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J-GLOBAL ID：200903062346528193
半導体結晶の欠陥評価方法および半導体装置の製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
須山 佐一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993222505
Publication number (International publication number)：1995078857
Application date： Sep. 07, 1993
Publication date： Mar. 20, 1995
Summary：
【要約】【目的】 Si系半導体結晶表面や表面近傍の微小欠陥を直接的に、かつより明確に評価することを可能にすることによって、高品質のSi系半導体基板、さらには高品質の半導体装置を実現することを可能にした半導体結晶の欠陥評価方法を提供する。【構成】 Si系半導体結晶を溶存酸素濃度が300ppb以下の純水で表面処理して、Si系半導体結晶表面をエッチングすると共に水素終端する。上記エッチングによって、Si系半導体結晶の表面に出現するエッチピットAやその核となる原子オーダの微小な穴Bを走査型プローブ顕微鏡法で検出することにより、Si系半導体結晶の表面や表面近傍の微小欠陥を評価する。
Claim (excerpt)：
Si系半導体結晶の表面や表面近傍の微小欠陥を評価するにあたり、前記Si系半導体結晶を溶存酸素濃度が300ppb以下の純水で表面処理して、前記Si系半導体結晶表面をエッチングすると共に水素終端し、前記エッチングにより前記Si系半導体結晶の表面に出現するエッチピットやその核となる原子オーダの微小な穴を走査型プローブ顕微鏡法で検出することにより、前記Si系半導体結晶の表面や表面近傍の微小欠陥を評価することを特徴とする半導体結晶の欠陥評価方法。
IPC (4)：
H01L 21/66
, G01B 11/30
, G01N 1/32
, G01N 37/00
