半導体装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：西藤征彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993275524
Publication number (International publication number)：1995130919
Application date： Nov. 04, 1993
Publication date： May. 19, 1995
Summary：

【要約】【目的】成形作業性,半田実装時の耐クラック性とともに、高温高湿度雰囲気下での保存信頼性に優れた半導体装置を提供する。【構成】下記の(A)〜(C)成分を含有するエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなる半導体装置である。そして、上記エポキシ樹脂組成物の溶融粘度(高化式フローテスターを用い175°Cで測定した最低溶融粘度)が10〜150ポイズであり、かつプレッシャークッカー状態(160°C×20時間×100%RH)下で抽出される上記エポキシ樹脂組成物硬化物のアルカリ金属イオン含量が5ppm以下、ハロゲンイオン含量が50ppm以下、抽出水(100メッシュパス硬化粉に対して10重量倍の水を使用)の電気伝導度が70μV/cm以下となるよう設定されている。(A)ビフェニル型エポキシ樹脂。(B)硬化剤。(C)無機質充填剤。

Claim (excerpt)：

下記の(A)〜(C)成分を含有するエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなる半導体装置であって、上記エポキシ樹脂組成物の溶融粘度(高化式フローテスターを用い175°Cで測定した最低溶融粘度)が10〜150ポイズであり、かつプレッシャークッカー状態(160°C×20時間×100%RH)下で抽出される上記エポキシ樹脂組成物硬化物のアルカリ金属イオン含量が5ppm以下、ハロゲンイオン含量が50ppm以下、抽出水(100メッシュパス硬化粉に対して10重量倍の水を使用)の電気伝導度が70μV/cm以下となるよう設定されていることを特徴とする半導体装置。(A)ビフェニル型エポキシ樹脂。(B)硬化剤。(C)無機質充填剤。

IPC (5)：

H01L 23/29 , H01L 23/31 , C08G 59/18 NKK , C08G 59/20 NHQ , C08G 59/62 NJR

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

半導体装置およびその製法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-133416 Applicant：日東電工株式会社
樹脂封止型半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-092375 Applicant：株式会社日立製作所

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