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J-GLOBAL ID：200903062357261636

炭化珪素半導体装置

Inventor： 新居 圭太
Applicant, Patent owner： ローム株式会社
Agent (1)： 青山 葆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991179355
Publication number (International publication number)：1993029250
Application date： Jul. 19, 1991
Publication date： Feb. 05, 1993
Summary：

【要約】【目的】 炭化珪素半導体基板と配線との接続の良好な配線構造を提供する。【構成】 炭化珪素上に高濃度ポリシリコンを成長させて、該ポリシリコンを介して配線と接続する。

Claim (excerpt)：

半導体基板の炭化珪素上に高濃度ポリシリコンを成長させて設け、該ポリシリコンを介して半導体基板と配線と接続するようにしてなる炭化珪素半導体装置。

IPC (6)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 29/784

FI (3)：

H01L 21/88 P ,  H01L 29/72 ,  H01L 29/78 301 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭62-081764
  
• 特開平2-016741