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J-GLOBAL ID：200903062362074470

SiC-MISFET及びその製造方法

Inventor： 楠本 修 ,  内田 正雄 ,  山下 賢哉 ,  北畠 真 ,  高橋 邦方 ,  宮永 良子
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (6)： 前田 弘 ,  小山 廣毅 ,  竹内 宏 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  原田 智雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003403296
Publication number (International publication number)：2005166930
Application date： Dec. 02, 2003
Publication date： Jun. 23, 2005
Summary：

【課題】 マクロステップに対するチャネル方向の違いによるFET特性の差がない、電流駆動能力の高いSiC-MISFET及びその製造方法を提供する。【解決手段】 熱酸化により、基板上に露出しているSiCを酸化して、シリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜9を形成する。酸素と窒素との化合物からなるガスの雰囲気中で、基板温度を例えば1100°Cにして、1時間の間アニールを行なう。その際、基板を、減圧装置が付設されたチャンバ内に移動させて、チャンバ内を減圧しつつ、チャンバ内にNOガス等のV族元素含有ガスを流し、チャンバ内を窒素等のV族元素が酸化膜中に拡散するのに十分に高い温度(約1100°C)に加熱する。このとき、減圧下で、酸化膜を窒素などのV族元素を含むガスに暴露することにより、酸化膜内に窒素などのV族元素が拡散し、比誘電率の大きい,より緻密なV族元素を含有したゲート絶縁膜9が形成される。【選択図】 図3

Claim (excerpt)：

( 0 0 0 1)面から10°以下のある角度だけ傾いた主面を有するSiC層と、 上記SiC層の上に形成され、少なくとも下部にV族元素を含む領域を有する酸化膜からなるゲート絶縁膜と、 上記ゲート絶縁膜の上に形成されたゲート電極と、 上記SiC層のうち上記ゲート電極の側方に位置する領域に設けられ、第1導電型不純物を含む少なくとも1つの不純物拡散層と を備えているSiC-MISFET。

IPC (3)：

H01L29/78 ,  H01L21/265 ,  H01L21/336

FI (9)：

H01L29/78 652T ,  H01L29/78 652E ,  H01L29/78 652K ,  H01L21/265 602A ,  H01L29/78 658A ,  H01L29/78 658F ,  H01L29/78 301B ,  H01L29/78 301G ,  H01L29/78 301Q

F-Term (41)：

5F140AA00 ,  5F140AA05 ,  5F140AB04 ,  5F140AC24 ,  5F140AC26 ,  5F140BA02 ,  5F140BA16 ,  5F140BA20 ,  5F140BB01 ,  5F140BB13 ,  5F140BC06 ,  5F140BC12 ,  5F140BC17 ,  5F140BD01 ,  5F140BD05 ,  5F140BD06 ,  5F140BD15 ,  5F140BD17 ,  5F140BE05 ,  5F140BE07 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BF01 ,  5F140BF05 ,  5F140BG27 ,  5F140BG37 ,  5F140BH43 ,  5F140BH49 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ05 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140BK26 ,  5F140BK37 ,  5F140BK38 ,  5F140CA03 ,  5F140CB08 ,  5F140CC03 ,  5F140CC13 ,  5F140CE02 ,  5F140CF00

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 特許第3251017号公報(要約書)