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J-GLOBAL ID：200903062365081957

半導体装置の製造方法およびその製造装置

Inventor： 尼崎 義洋
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995354317
Publication number (International publication number)：1997186234
Application date： Dec. 27, 1995
Publication date： Jul. 15, 1997
Summary：

【要約】【課題】 ブランケットメタル法による半導体装置の製造方法をそのまま利用することのできる経済的で歩留りおよび信頼性の高い半導体装置の製造方法およびその製造装置を提供する。【解決手段】 半導体基板上に層間絶縁膜を形成する工程S2と、層間絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程S3と、コンタクトホール内面および層間絶縁膜上に密着層を形成する工程S4と、密着層上に金属膜を形成する工程S5と、金属膜と密着層とをエッチバックしてコンタクトホール内にプラグを形成する工程S7からなる半導体装置の製造方法において、プラグを形成する工程S7の前に半導体基板の周縁部の金属膜を除去する工程S6を付加した。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程と、前記コンタクトホール内面および層間絶縁膜上に密着層を形成する工程と、前記密着層上に金属膜を形成する工程と、前記金属膜と密着層とをエッチバックして前記コンタクトホール内にメタルプラグを形成する工程とからなる半導体装置の製造方法において、前記メタルプラグを形成する工程の前に半導体基板の周縁部の前記金属膜を除去する工程を付加したことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/304 321

FI (2)：

H01L 21/90 C ,  H01L 21/304 321 S