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J-GLOBAL ID：200903062383148864

半導体装置の製造方法

Inventor： 占部 耕児
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 鈴木 章夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991306544
Publication number (International publication number)：1993121571
Application date： Oct. 26, 1991
Publication date： May. 18, 1993
Summary：

【要約】【目的】 半導体装置に形成されるメッキ金属膜と、その上に形成される層間絶縁膜との密着性を向上し、半導体装置の信頼性を改善する。【構成】 シリコン基板101上の第1絶縁膜103上に形成されたメッキ金属膜からなる金属配線(104,105,106)上にスパッタ法でシリコン膜を形成した後、このシリコン膜を窒化処理(或いは酸化処理)してシリコン窒化膜108を形成し、その上に厚いシリコン酸化膜等の第3絶縁膜109を形成し、これらで層間絶縁膜を構成する。

Claim (excerpt)：

半導体基板上の絶縁膜上にメッキ法により形成した金属膜で金属配線を形成する工程と、この金属配線を覆うようにスパッタ法でシリコン膜を形成する工程と、このシリコン膜を酸化処理或いは窒化処理を施してシリコン酸化膜或いはシリコン窒化膜を形成する工程と、このシリコン酸化膜或いはシリコン窒化膜上に厚い絶縁膜を形成する工程を含み、前記シリコン酸化膜或いはシリコン窒化膜と厚い絶縁膜とで層間絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/90 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318