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J-GLOBAL ID：200903062383938342

液晶電気光学素子の製造方法

Inventor： 矢崎 正幸 ,  飯坂 英仁 ,  土屋 豊 ,  小林 英和 ,  山田 周平 ,  千野 英治
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995256625
Publication number (International publication number)：1997101507
Application date： Oct. 03, 1995
Publication date： Apr. 15, 1997
Summary：

【要約】【課題】 高分子分散型の液晶電気光学素子の製造方法において、光重合工程に改善を施すことにより表示特性の劣化を防止するとともに、残存モノマー量を低減させることにより素子の信頼性を向上させる。【解決手段】 基板1と8の間に液晶と高分子前駆体とを混合した溶液9を封入し、第1段階として高照度の紫外線を短時間照射することにより、重合開始点50を溶液9の内部に多数形成し、続いて、第2段階として低照度の紫外線を長時間照射することにより、重合反応を完了させ、液晶4中に高分子5の分散した液晶高分子複合層10を形成する。このようにすると、高分子5の構造的な安定性が向上して、温度に対する電気光学特性の劣化が抑制される。

Claim (excerpt)：

2枚の基板間に液晶と高分子前駆体とを相溶した溶液を収容し、該溶液に光を照射することにより、前記液晶と前記高分子前駆体の重合により生ずる高分子とを互いに分散させるとともに前記液晶と前記高分子を相分離させた液晶高分子複合層を形成して成る液晶電気光学素子の製造方法において、前記高分子前駆体を重合させる工程には、前記溶液に高照度の光を短時間照射する第1段階と、次に、前記溶液に低照度の光を長時間照射する第2段階とを有することを特徴とする液晶電気光学素子の製造方法。