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J-GLOBAL ID：200903062403475956

非線形超伝導素子

Inventor： 水野 紘一 ,  瀬恒 謙太郎 ,  足立 秀明 ,  市川 洋
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991261782
Publication number (International publication number)：1993102540
Application date： Oct. 09, 1991
Publication date： Apr. 23, 1993
Summary：

【要約】【目的】 A、B両超伝導電極と、抵抗率が温度に対して負の依存性を有するチャネル層で構成した非線形超伝導素子で、負性抵抗特性を有する非線形超伝導素子を提供することを目的とする。【構成】 基板3上に超伝導A電極1を形成し、チャネル層2、超伝導B電極4、表面保護層5をスパッタ法で積層した。次にネガレジスト6を用いA電極1を露出させ、電極間分離層7を形成しリフトオフし、コンタクト電極8を形成した。この非線形超伝導素子は、A電極1の超伝導遷移温度以下の広い温度範囲にわたって、電流電圧特性に強い非線形性を示した。

Claim (excerpt)：

超伝導体よりなるA電極およびB電極と、前記A電極および前記B電極に接し、かつ抵抗率が温度に対して負の依存性を有するチャネル層より構成したことを特徴とする非線形超伝導素子。

IPC (3)：

H01L 39/22 ,  C01G 1/00 ZAA ,  C01G 29/00 ZAA

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平2-021677
  
• 特開平2-134881
  
• 特開昭63-148689