Pat
J-GLOBAL ID:200903062403996891

ZnS-SiO2系焼結体およびその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 鴨田 朝雄
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998222181
Publication number (International publication number):2000053468
Application date: Aug. 05, 1998
Publication date: Feb. 22, 2000
Summary:
【要約】【課題】 良好で安定な膜特性の膜が得られ、割れが発生しないZnS-SiO2 系焼結体およびその製造方法を提供する。【解決手段】 本発明の焼結体は、(1)X線回折によるβ-ZnS相(111)面のピーク強度とα-ZnS相(100)面のピーク強度との比が1.0以上、かつ(2)Zn含有量とS含有量との原子比が厚さ方向に一様に0.97〜1.03であることを特徴とする。また、本発明の製造方法は、(1)遊離SがSO4 成分として0.8重量%以下で平均粒径が5μm以下のZnS粉末、および平均粒径が5μm以上のSiO2 粉末を原料粉末に用い、(2)1100°C以下の焼結温度で焼結を行うことを特徴とする。
Claim (excerpt):
(a)SiO2 を10〜30モル%含み、残部がZnSおよび不可避不純物であり、(b)相対密度が90%以上である焼結体において、(1)X線回折によるβ-ZnS相(111)面のピーク強度とα-ZnS相(100)面のピーク強度との比が1.0以上、かつ(2)Zn含有量とS含有量との原子比が、厚さ方向に一様に0.97〜1.03であることを特徴とするZnS-SiO2 系焼結体。
IPC (2):
C04B 35/547 ,  C23C 14/34
FI (2):
C04B 35/00 T ,  C23C 14/34 T
F-Term (13):
4G030AA37 ,  4G030AA56 ,  4G030BA19 ,  4G030BA33 ,  4G030CA01 ,  4G030GA11 ,  4G030GA27 ,  4G030GA29 ,  4K029BC01 ,  4K029BC02 ,  4K029BD12 ,  4K029CA05 ,  4K029DB05

Return to Previous Page