Pat
J-GLOBAL ID：200903062404031350
炭化けい素半導体素子およびその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山口 巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994201607
Publication number (International publication number)：1996064801
Application date： Aug. 26, 1994
Publication date： Mar. 08, 1996
Summary：
【要約】【目的】炭化けい素半導体素子のn型領域上にニッケル膜によるオーミック接触を形成する。【構成】炭化けい素からなる基板の表面上にシリコン酸化膜を有する半導体素子において、基板表面層に形成されたn型層とニッケル膜とのオーミック接触をとる場合に、シリコン酸化膜の少なくとも一か所の端部を除いてニッケル膜を被着する。炭化けい素基板とシリコン酸化膜とニッケル膜とを共存させて1000°C以上の熱処理をすると、境界部で反応して抵抗が増大するのを防止する。シリコン酸化膜上と接続する場合は、熱処理後に第二の金属膜を形成して接続する。
Claim (excerpt)：
炭化けい素からなる半導体基板の表面上のシリコン酸化膜と、基板の表面層に形成されたn型領域とニッケル膜とのオーミック接触を有するものにおいて、酸化膜の少なくとも一か所の端部を除いてニッケル膜が被着されていることを特徴とする炭化けい素半導体素子。
FI (2)：
H01L 29/46 F
, H01L 29/46 R
