半導体装置における素子分離領域の形成方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高田守 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994326970
Publication number (International publication number)：1996186164
Application date： Dec. 28, 1994
Publication date： Jul. 16, 1996
Summary：

【要約】【目的】素子分離領域を構成する不純物層を制御性良くかつ微細に形成できる素子分離領域の形成方法を得る。【構成】半導体基板1の主面上に絶縁膜18を形成する。絶縁膜18表面全面にレジスト層2を形成し、レジスト層2に開口2aを形成する。レジスト層2をマスクとして、絶縁膜18をエッチングし、開口部18aを形成し、レジスト層2を除去する。絶縁膜18をマスクとして、不純物をイオン注入し、イオン注入不純物層19を形成する。熱処理して、イオン注入不純物層19に注入されたイオンを拡散させて不純物層20を形成する。絶縁膜18をマスクとしてエッチングし、側面及び底面に接したチャネルストッパとして機能する不純物層4を残存させて溝3を形成する。その後、溝3内に埋め込み絶縁層5を形成する。

Claim (excerpt)：

半導体基板の一主面上に、素子分離形成領域上に開口部を有したマスクを形成する工程、このマスク上から半導体基板と同一導電型の不純物をイオン注入し、マスクの開口部が位置する半導体基板の一主面に所定の深さを有した不純物層を形成する工程、この不純物層内に側面及び底面に接した不純物層を残存させて溝を形成し、この側面及び底面に接した不純物層をチャネルストッパとする工程、上記溝内に絶縁物を埋め込む工程を備えた半導体装置における素子分離領域の形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/76 , H01L 21/265

FI (3)：

H01L 21/76 L , H01L 21/265 R , H01L 21/265 A

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

特開昭62-132356
特開平1-223727
特開平4-280451

Cited by examiner (3)

特開昭62-132356
特開平1-223727
特開平4-280451

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