Pat

J-GLOBAL ID：200903062408615080

磁気記憶装置

Inventor： 中島 健太郎 ,  斉藤 好昭 ,  猪俣 浩一郎
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 外川 英明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999277458
Publication number (International publication number)：2001101859
Application date： Sep. 29, 1999
Publication date： Apr. 13, 2001
Summary：

【要約】【課題】 高密度で、かつ低消費電力な磁気記憶装置を提供する。【解決手段】 第1の強磁性電極と、第2の強磁性電極と、第1及び第2の強磁性電極間に第1及び第2の誘電体層を介して挿入されたゲート電極とを具備するスピン依存トンネル効果素子を備える複数のメモリセルと;複数のスピン依存トンネル効果素子の第1または第2の強磁性電極が共通に接続されるデータ線と;それぞれ異なるメモリセルのゲート電極と容量結合する複数のワード線とを具備し、データ線に共通に接続された複数のメモリセルの1つを記憶情報読み出し時に選択するセル選択が、ワード線の1つを選択して電位を変化させ、選択したワード線と容量結合するメモリセルの抵抗値を変えることにより行われることを特徴とする磁気記憶装置。

Claim (excerpt)：

第1の強磁性電極と、第2の強磁性電極と、前記第1及び第2の強磁性電極間に第1及び第2の誘電体層を介して挿入されたゲート電極とを具備するスピン依存トンネル効果素子を備える複数のメモリセルと、前記複数のスピン依存トンネル効果素子の前記第1または第2の強磁性電極が共通に接続されるデータ線と、それぞれ異なる前記メモリセルの前記ゲート電極と容量結合する複数のワード線とを具備し、前記データ線に共通に接続された複数の前記メモリセルの1つを記憶情報読み出し時に選択するセル選択が、前記ワード線の1つを選択して電位を変化させ、選択した前記ワード線と容量結合するメモリセルの抵抗値を変えることにより行われることを特徴とする磁気記憶装置。

IPC (5)：

G11C 11/15 ,  G11C 11/14 ,  G11C 11/24 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 43/08

FI (5)：

G11C 11/15 ,  G11C 11/14 A ,  G11C 11/24 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 43/08 Z

F-Term (6)：

5F083EP32 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083GA09 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16