Pat
J-GLOBAL ID：200903062410016312
Pb系強誘電体スパッタリング用ターゲット
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
志賀 正武 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992232393
Publication number (International publication number)：1994081138
Application date： Aug. 31, 1992
Publication date： Mar. 22, 1994
Summary：
【要約】【目的】 Pb系強誘電体をスパッタリングにより形成する際に、成分調整のために強誘電体粉末にPbO粉末を添加した場合における強誘電体の成分の安定化に要する時間の短縮化を図ることを目的とする。【構成】 Pb系強誘電体をスパッタリングによって形成するためのターゲットであって、平均粒径が、10μm以下のPb系強誘電体粉末およびPbO粉末とを混合・焼結してなることを特徴とする。
Claim (excerpt)：
Pb系強誘電体をスパッタリングによって形成するためのターゲットであって、平均粒径が、10μm以下のPb系強誘電体粉末およびPbO粉末とを混合・焼結してなることを特徴とするPb系強誘電体スパッタリング用ターゲット。
Patent cited by the Patent：
Return to Previous Page
