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J-GLOBAL ID：200903062411567525

擬似SRAM

Inventor： 伊藤 伸彦 ,  伊原 誠
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991335268
Publication number (International publication number)：1993166368
Application date： Dec. 18, 1991
Publication date： Jul. 02, 1993
Summary：

【要約】【構成】 セルフリフレッシュモードにおけるプリチャージ時に、各ビット線対1をHVCC発生回路3から切り離すと共に、それぞれのビット線1a、1b間を短絡することにより、これらのビット線1a、1bの電位を自然放電により低下させる。【効果】 特別な消費電力の増加を伴うことなく、プリチャージ電位をHVCC電位よりも低い電位まで低下させることができるので、セルフリフレッシュモードにおけるリフレッシュ周期を長くして擬似SRAMの待機時の消費電力を低減させることができる。

Claim (excerpt)：

プリチャージ時に各ビット線対をHVCC発生回路に接続することにより、各ビット線対をHVCC電位にプリチャージする擬似SRAMであって、セルフリフレッシュモードにおけるプリチャージ時に、各ビット線対をHVCC発生回路から切り離し、各ビット線対の2本のビット線間をそれぞれ短絡するビット線放電手段を備えている擬似SRAM。

IPC (3)：

G11C 11/403 ,  G11C 11/409 ,  G11C 11/406

FI (3)：

G11C 11/34 371 J ,  G11C 11/34 353 F ,  G11C 11/34 363 L