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J-GLOBAL ID:200903062411936695

低消費電力型薄膜ガスセンサ及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 浜本 忠 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994220866
Publication number (International publication number):1995198646
Application date: Aug. 24, 1994
Publication date: Aug. 01, 1995
Summary:
【要約】【目的】 ガスセンサ発熱部の支持膜を熱損失の少ないガラス質薄膜で形成し、ガス感知膜が特性ガスにうまく動作をするように、特定温度で加熱するヒータの高温加熱時ヒータの消費電力を最小化させる低消費電力型薄膜ガスセンサを提供する。【構成】 一側表面中央部にウィンドウを有するシリコン基板と、このウィンドウを除いた基板の側の表面上に形成されたマスキング物質と、蝕刻停止層とガラス質膜で構成され、基板の他側表面上に形成された一定の幅を有する支持膜と、ウィンドウに対応する支持膜上に並んで形成されたヒータ及び温度センサと、前記ヒータ及び温度センサを覆うように支持膜上に形成された層間絶縁膜と、層間絶縁膜上に形成された感知膜電極と、感知膜電極を覆うように層間絶縁膜上に形成された感知膜とでガスセンサを構成する。
Claim (excerpt):
一側表面中央部にウィンドウを有するシリコン基板と、ウィンドウを除いた側の基板表面上に形成されたマスキング物質と、蝕刻停止層とガラス質膜で構成され、基板の他側表面上に形成された一定の幅を有する支持膜と、ウィンドウに対応する支持膜上に並んで形成され、一定の長さの発熱部を有するヒータ及び温度センサと、前記ヒータ及び温度センサを覆うように支持膜上に形成された層間絶縁膜と、層間絶縁膜上に形成された感知膜電極と、感知膜電極を覆うように層間絶縁膜上に形成された感知膜と、を含むことを特徴とする低消費電力型薄膜ガスセンサ。
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (15)
  • 特開平1-313751
  • 特開平4-080647
  • 特開昭63-243817
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