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J-GLOBAL ID：200903062416496405

CVD装置、マルチチャンバ方式CVD装置及びその基板処理方法

Inventor： 水野 茂 ,  勝俣 好弘 ,  高橋 信行
Applicant, Patent owner： 日電アネルバ株式会社
Agent (1)： 田宮 寛祉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993174896
Publication number (International publication number)：1994208959
Application date： Jun. 22, 1993
Publication date： Jul. 26, 1994
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 ブランケットタングステン成膜を行うCVD装置において、基板固定具が基板から離脱する時にマイクロピーリングを発生させずかつ良好なシャドウ形成を行うことによりブランケットタングステンがSiO2 上に成膜されるのを防止し、微細パーティクル等の発生を低減する。【構成】 サセプタ4、リングチャック9、反応ガス供給機構17,8,19、排気機構2を備え、リングチャックは基板周縁部に接触する少なくとも3つの点接触部10を有し、点接触部でリングチャックと基板の間に間隙が形成され、反応ガスが間隙に侵入するのを阻止するパージガスを間隙から吹出すパージガス供給機構20,21を設ける。間隙の大きさとパージガスの流量の比は、薄膜の周縁部位置が、リングチャックの内周縁位置と一致する条件を満たす最適な一定値に設定される。

Claim (excerpt)：

光透過材でできた窓を有する反応容器と、その反応容器内に窓と対向する位置に配置された基板保持体と、この基板保持体の上に設置された基板を固定するリング状の固定部材を有し、反応容器内に反応ガスを供給する反応ガス供給機構と、基板保持体の後方であって反応容器外に配置された複数の加熱機構と、基板保持体の裏側からパージガスを供給するためのパージガス供給機構と、さらに、反応容器内を排気する排気機構を備えたCVD処理を行う装置において、(a)リング状固定部材の中心軸上に基板の中心に位置し、(b)リング状固定部材の内径円の径は基板の径より小さく、(c)リング状固定部材は基板と接触する少なくとも3つの接触部を有し、(d)すべての接触部は、リング状固定部材の中心軸に面する接触部の側面が内径円の径より大きな径の同心円の円周上に位置し、さらに、等間隔の位置で配置され、さらに、(e)反応容器内で窓と基板保持体の間、基板保持体とリング状固定部材の間およびリング状固定部材と基板との間でパージガスが流れる通路を形成することを特徴とするCVD装置。

IPC (5)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 21/68