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J-GLOBAL ID：200903062420065460

マグネトロンプラズマ用磁場発生装置

Inventor： 宮田 浩二
Applicant, Patent owner： 信越化学工業株式会社
Agent (1)： 森崎 俊明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993351139
Publication number (International publication number)：1995197252
Application date： Dec. 28, 1993
Publication date： Aug. 01, 1995
Summary：

【要約】【目的】 複数の磁場発生装置を近接させた場合でも、個々の磁場発生装置による発生磁場の均一性は乱されずに済むようなマグネトロンプラズマ用磁場発生装置を提供すること。【構成】 複数の異方性セグメント柱状磁石をリング状に配置したダイポールリング磁石より成るマグネトロンプラズマ用磁場発生装置において、上記ダイポールリング磁石の側面を磁性体で被覆する。

Claim (excerpt)：

複数の異方性セグメント柱状磁石をリング状に配置したダイポールリング磁石より成るマグネトロンプラズマ用磁場発生装置において、上記ダイポールリング磁石の側面を磁性体で被覆した、ことを特徴とするマグネトロンプラズマ用磁場発生装置。

IPC (5)：

C23C 14/35 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/31

FI (2)：

H01L 21/302 C ,  H01L 21/31 D