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J-GLOBAL ID：200903062421729884

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 三田村 健 ,  金子 洋之 ,  岩崎 靖和
Applicant, Patent owner： 日産自動車株式会社
Agent (1)： 中村 純之助 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997278625
Publication number (International publication number)：1999121767
Application date： Oct. 13, 1997
Publication date： Apr. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】配線構造が簡単で微細化が可能、かつ製造歩留まりが高い半導体装置を提供する。【解決手段】内部に誘電体46が充填された貫通孔49を有する活性層基板48と支持基板47とが誘電体を介して接合され、貫通孔は断面形状が台形でその下底が支持基板側に配置されたSOI基板を用い、加速度に応動する櫛歯可動電極と、それと対向する櫛歯固定電極とを活性層基板へ設けたトレンチ溝と貫通孔とで周囲から絶縁して形成した構造を有し、櫛歯固定電極から外部へ接続する配線26を、SOI基板主表面で貫通孔に充填された誘電体を横切るように配置した構造。貫通孔の断面が台形状で側面が上に開いた傾斜なので、トレンチ溝形成時に側面の活性層領域を完全にエッチング除去できる。そのため櫛歯固定電極間で短絡部分を生じることなく製造歩留まりを向上でき、かつSOI基板主表面に配線を設けられるので、配線構造が簡単で微細化が可能になる。

Claim (excerpt)：

内部に誘電体が充填された貫通孔を有する活性層基板と支持基板とが誘電体を介して接合され、かつ前記貫通孔は断面形状が台形であって該台形の下底が支持基板側になるように配置されたSOI基板を用い、前記活性層基板へ設けたトレンチ溝と前記貫通孔とによって周囲から絶縁されるように形成された少なくとも一つの導電領域が前記誘電体を介して前記支持基板で保持された構造を有する半導体装置であって、前記導電領域から前記の絶縁された範囲の外部へ接続する電気的配線を、前記SOI基板主表面で前記貫通孔に充填された誘電体を横切るように配置したことを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 29/84 ,  G01L 1/14 ,  G01P 15/125

FI (3)：

H01L 29/84 Z ,  G01L 1/14 A ,  G01P 15/125