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J-GLOBAL ID：200903062440138633

膜形成方法および膜形成装置

Inventor： 小寺 宏一 ,  田中 博由 ,  塩川 晃 ,  内田 正雄
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994268696
Publication number (International publication number)：1996127876
Application date： Nov. 01, 1994
Publication date： May. 21, 1996
Summary：

【要約】【目的】 不純物の含有がなく、空隙の発生のない高品質な膜形成を高速に可能にする膜形成方法および膜形成装置を提供する。【構成】 石英チューブで造られ、その周囲に高周波電圧を印加したコイルが配置されたプラズマ発生部の内側に、不活性ガスより成るキャリアガスを介して原料微粉末が導入され、周囲に流れる冷却用ガスによって閉じ込められたプラズマ発生部内のプラズマのエネルギに基づいて原料微粉末が溶融状態になって、不活性ガス雰囲気中に設置した基板に噴出されて、基板に膜堆積を行う膜形成方法および膜形成装置を提供する。

Claim (excerpt)：

石英チューブで造られ、その周囲に高周波電圧を印加したコイルが配置されたプラズマ発生部の内側に、不活性ガスより成るキャリアガスを介して原料微粉末が導入され、原料微粉末がプラズマ発生部内のプラズマエネルギに基づいて溶融状態になって、不活性ガス雰囲気中に設置した基板に噴出されて、基板に膜堆積を行う膜形成方法。

IPC (3)：

C23C 16/50 ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-087325
  
• 特開平2-240265
  
• インダクシヨンプラズマ溶射装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-194771   Applicant：株式会社三社電機製作所