酸化亜鉛単結晶ウエファーの製造法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：西澤利夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003276296
Publication number (International publication number)：2005039131
Application date： Jul. 17, 2003
Publication date： Feb. 10, 2005
Summary：

【課題】酸化亜鉛半導体材料を電子素子形成のための基板材料として利用可能なウエファーとして提供するため、導電性と平坦表面を併せ持った酸化亜鉛単結晶ウエファーの製造法を提供する。【解決手段】水熱合成法によって育成された酸化亜鉛単結晶を、平坦表面を有する導電性単結晶ウエファーとして提供する酸化亜鉛単結晶ウエファーの製造法であって、ウエファー状に切り出された酸化亜鉛単結晶に対して、単結晶が育成された直後の状態でもつ電気抵抗率に比べて低抵抗の状態に至らしめ、かつ熱処理後の結晶のフォトルミネッセンス特性において375〜385nmの範囲にある紫外発光ピークの相対強度が400〜800nmに見られる紫外発光ピークの相対強度に対して高い発光状態に至らしめる、低抵抗化のための前段熱処理と、酸化亜鉛との間に反応生成物を生じさせない酸化亜鉛に対して不活性でありかつ表面を平坦研磨された1対の熱処理用鞘ウエファーの間に酸化亜鉛を挟み込んだ状態でその酸化亜鉛単結晶に対して行う、平坦化のための後段熱処理の、2段階の熱処理工程を含む。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

水熱合成法によって育成された酸化亜鉛単結晶を、平坦表面を有する導電性単結晶ウエファーとして提供する酸化亜鉛単結晶ウエファーの製造法であって、ウエファー状に切り出された酸化亜鉛単結晶に対して、単結晶が育成された直後の状態でもつ電気抵抗率に比べて低抵抗の状態に至らしめ、かつ熱処理後の結晶のフォトルミネッセンス特性において375〜385nmの範囲にある紫外発光ピークの相対強度が400〜800nmに見られる紫外発光ピークの相対強度に対して高い発光状態に至らしめる、低抵抗化のための前段熱処理と、次いで酸化亜鉛との間に反応生成物を生じさせず、酸化亜鉛に対して不活性でありかつ表面を平坦研磨された1対の熱処理用鞘ウエファーの間に酸化亜鉛単結晶を挟み込み、その状態で酸化亜鉛単結晶に対して行う、平坦化のための後段熱処理の、少なくとも2段階の熱処理工程を含むことを特徴とする酸化亜鉛単結晶ウエファーの製造法。

IPC (2)：

H01L21/02 , H01L21/324

FI (2)：

H01L21/02 B , H01L21/324 X

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

透明酸化亜鉛の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-235077 Applicant：ライオン株式会社
酸化亜鉛単結晶の育成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-278542 Applicant：日本碍子株式会社
半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-230365 Applicant：シャープ株式会社, 川崎雅司

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Cited by examiner (4)

シリコン基板上に形成された酸化亜鉛半導体部材
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-219280 Applicant：株式会社東北テクノアーチ
ZnO結晶の成長方法、ZnO結晶構造及びそれを用いた半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-245220 Applicant：スタンレー電気株式会社, 八百隆文
ZnO紫外発光体およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-062347 Applicant：住友電気工業株式会社

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