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J-GLOBAL ID：200903062461159231

III-V族半導体物質及び該物質を含む電子部材

Inventor： クリスチヤン・ブリランスキ ,  マリ-アントワネツト・プワソン
Applicant, Patent owner： トムソン-セーエスエフ
Agent (1)： 川口 義雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996333833
Publication number (International publication number)：1997186359
Application date： Dec. 13, 1996
Publication date： Jul. 15, 1997
Summary：

【要約】【課題】 半導体と基板との間の単位胞ミスマッチに起因する欠陥構造密度の低いIII-V族型半導体結晶を提供する。【解決手段】 正方晶系として結晶化するスズ石型結晶基板でのヘテロエピタクシャル成長により得られるIII-V族半導体物質。

Claim (excerpt)：

正方晶系として結晶化するスズ石型結晶基板上でのヘテロエピタクシーにより得られるIII-V族半導体物質。

IPC (4)：

H01L 33/00 ,  C30B 29/40 502 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/205

FI (6)：

H01L 33/00 A ,  H01L 33/00 B ,  H01L 33/00 C ,  C30B 29/40 502 F ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/205