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J-GLOBAL ID：200903062461587276
薄膜キャパシタ
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993227381
Publication number (International publication number)：1995086514
Application date： Sep. 13, 1993
Publication date： Mar. 31, 1995
Summary：
【要約】【目的】 薄膜化による実効的誘電率の低下を抑制してチタン酸バリウムストロンチウム薄膜が4GbDRAMの容量絶縁膜として利用されることを可能とする容量膜構造を提供する。【構成】 基板1上に下部電極9、容量膜10、上部電極11を積層した構造を有する薄膜キャパシタであって、特に容量膜10としてチタン酸ストロンチウムあるいはチタン酸バリウムストロンチウム膜5とチタン酸バリウム膜が順次積層されており、チタン酸バリウム膜6は2〜20nmの極薄い膜であることを特徴とする薄膜キャパシタである。
Claim (excerpt)：
チタン酸ストロンチウムあるいはチタン酸バリウムストロンチウムを容量絶縁膜として用いる薄膜キャパシタであって、下部電極上に成膜された当該絶縁膜上に膜厚2〜20nmのチタン酸バリウム薄膜を形成し上部電極を形成してなることを特徴とする薄膜キャパシタ。
IPC (5)：
H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 21/314
, H01L 21/8242
, H01L 27/108
H01L 27/04 C
, H01L 27/10 325 J
