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J-GLOBAL ID：200903062463179744

窒化物半導体素子及びその製造方法

Inventor： 豊田 達憲 ,  丸岡 義明
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996022196
Publication number (International publication number)：1997219539
Application date： Feb. 08, 1996
Publication date： Aug. 19, 1997
Summary：

【要約】【課題】本願発明の課題は、使用環境の厳しい条件下においても半導体素子として良好なオーミック接触を形成するとともに電極などの機械的強度を向上させ安定駆動させる窒化物半導体素子を提供することにある。【解決手段】本願発明は、N型導電性を有する窒化物半導体上に電極が設けられた窒化物半導体素子であって、前記電極がWを有する第1の層と該第1の層上に設けられたAlを有する第2の層の窒化物半導体素子である。

Claim (excerpt)：

N型導電性を有する窒化物半導体上に電極が設けられた窒化物半導体素子であって、前記電極がWを有する第1の層と該第1の層上に設けられたAlを有する第2の層であることを特徴とする窒化物半導体素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (3)：

H01L 33/00 C ,  H01L 33/00 E ,  H01S 3/18