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J-GLOBAL ID：200903062468340438

エレクトロクロミック素子の製造方法

Inventor： 山田 昌幸
Applicant, Patent owner： 株式会社ニコン
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992183794
Publication number (International publication number)：1994027498
Application date： Jul. 10, 1992
Publication date： Feb. 04, 1994
Summary：

【要約】【目的】 製造時の基板の割れや変形を防止する共に、特性を向上させる。【構成】 基板上に形成された、一方または両方が透明な一対の電極層、エレクトロクロミック物質層およびイオン導電層を少なくとも有するエレクトロクロミック素子の製造方法において、前記基板を熱絶縁性および電気絶縁性材料Mで保持した状態でエレクトロクロミック物質層をアルゴンガスと酸素ガスによる反応性直流スパッタリング法により成膜した。そして、成膜時のスパッタガスの圧力を2×10-3〜1×10-1torrの範囲に、また酸素ガスの割合をスパッタガスの圧力の25%〜40%とした。

Claim (excerpt)：

基板上に形成された、一方または両方が透明な一対の電極層、エレクトロクロミック物質層およびイオン導電層を少なくとも有するエレクトロクロミック素子の製造方法において、前記基板を熱絶縁性および電気絶縁性材料で保持した状態で前記エレクトロクロミック物質層をアルゴンガスと酸素ガスによる反応性直流スパッタリング法により成膜すると共に、該成膜時のスパッタガスの圧力を2×10-3torrから1×10-1torrの範囲に、また酸素ガスの割合をスパッタガスの圧力の25%から40%とすることを特徴とするエレクトロクロミック素子の製造方法。