磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：北野好人 , 三村治彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007046666
Publication number (International publication number)：2008211008
Application date： Feb. 27, 2007
Publication date： Sep. 11, 2008
Summary：

【課題】磁壁移動現象を利用した磁気抵抗効果素子に関し、熱揺らぎに対する安定性を低下することなく、磁壁の移動速度を向上しうる磁気抵抗効果素子を提供する。【解決手段】磁化方向が固定された固定磁化層36と、固定磁化層36上に形成された非磁性層40と、強磁性層42と、強磁性層42上に形成された非磁性金属層44と、非磁性金属層44上に形成された強磁性層46との積層体よりなる自由磁化層48であって、複数の磁化記録領域64を有し、磁化記録領域64のそれぞれにおいて、強磁性層42の磁化と強磁性層46の磁化とが互いに反平行に結合しており、一の磁化記録領域64が、非磁性層40を介して固定磁化層36と対向している自由磁化層48とを有する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

磁化方向が固定された固定磁化層と、前記固定磁化層上に形成された非磁性層と、第1の強磁性層と、前記第1の強磁性層上に形成された非磁性金属層と、前記非磁性金属層上に形成された第2の強磁性層との積層体よりなる自由磁化層であって、複数の磁化記録領域を有し、前記複数の磁化記録領域のそれぞれにおいて、前記第1の強磁性層の磁化と前記第2の強磁性層の磁化とが互いに反平行に結合しており、一の前記磁化記録領域が、前記非磁性層を介して前記固定磁化層と対向している自由磁化層とを有することを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (5)：

H01L 29/82 , H01L 43/08 , H01L 43/02 , H01L 21/824 , H01L 27/105

FI (4)：

H01L29/82 Z , H01L43/08 Z , H01L43/02 Z , H01L27/10 447

F-Term (41)：

4M119AA05 , 4M119AA06 , 4M119BB01 , 4M119BB03 , 4M119CC02 , 4M119CC05 , 4M119DD05 , 4M119DD06 , 4M119DD09 , 4M119DD22 , 4M119DD33 , 4M119DD45 , 4M119DD55 , 4M119EE04 , 4M119FF05 , 4M119FF16 , 4M119GG01 , 4M119HH01 , 4M119HH04 , 5F092AA03 , 5F092AB08 , 5F092AC08 , 5F092AC12 , 5F092AD25 , 5F092AD26 , 5F092BB17 , 5F092BB22 , 5F092BB23 , 5F092BB24 , 5F092BB33 , 5F092BB34 , 5F092BB35 , 5F092BB36 , 5F092BB37 , 5F092BB42 , 5F092BB43 , 5F092BB44 , 5F092BC04 , 5F092BC07 , 5F092BC08 , 5F092BC42

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

電流リード
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-233837 Applicant：富士電機株式会社
磁性記録媒体
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-205829 Applicant：キヤノン株式会社
磁壁移動を利用した磁気抵抗効果素子の磁化状態の変化方法及び該方法を用いた磁気メモリ素子、固体磁気メモリ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-258220 Applicant：キヤノン株式会社

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