遠隔式プラズマ発生装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：佐藤隆久
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000610688
Publication number (International publication number)：2002541672
Application date： Apr. 12, 2000
Publication date： Dec. 03, 2002
Summary：

【要約】【課題】高効率のラジカル発生を可能にすることに関連するいくつかの特徴を含み、マイクロ波周波数のエネルギーをガスと結合させ、下流の処理チャンバ14に運ぶ、遠隔式プラズマ発生装置を提供する。【解決手段】例示されている実施形態においては、酸素およびフッ素ラジカルのより効率的な運搬が、よりすばやいフォトレジストのエッチングもしくはアッシュ率に転換される。単結晶で一体のサファイアアプリケーター40および伝送管41は、処理チャンバへの管路中においてラジカルの再結合を最小化し、グロー放電から下流の処理チャンバ14までが直接的に視野に入ることを避けるために曲げ42を含む。アプリケーター40の周りの冷却ジャケット50内のマイクロ波透過冷却流体が、強いパワーで高い温度のプラズマ生成を可能にする。その上、マイクロ波キャビティ28の端部におけるスライディングショート60を介しての動的なインピーダンス整合が、反射するエネルギーによるパワー損失を低減する。同時に、低いプロファイルのマイクロ波トラップ44,46が、より濃密なプラズマを作り出し、ラジカルの生成を増加させる。ある実施形態においては、フッ素と酸素のラジカルが個別に発生させられ、処理チャンバ14のちょうど上流で混合され、これにより個々に最適化されたこの2種のラジカルの発生が可能になる。

Claim (excerpt)：

1/4波長の短絡された同軸導管を含むマイクロ波チョークを有し、前記短絡された同軸導管はチョークの周囲を規定し、前記周囲は約3より大きい誘電率を持つ固体材料で充たされている、半導体プロセス反応炉におけるプラズマ発生装置。

IPC (3)：

H01L 21/3065 , H01L 21/027 , H05H 1/46

FI (3)：

H05H 1/46 B , H01L 21/302 H , H01L 21/30 572 A

F-Term (16)：

5F004AA16 , 5F004BA03 , 5F004BB14 , 5F004BB18 , 5F004BB25 , 5F004BB28 , 5F004BB29 , 5F004BD01 , 5F004DA01 , 5F004DA17 , 5F004DA18 , 5F004DA26 , 5F004DB26 , 5F004DB27 , 5F004EA28 , 5F046MA12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

マイクロ波プラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-131342 Applicant：株式会社ダイヘン
マイクロ波ガスプラズマ放電方法、装置及びプラズマ放電部
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-026058 Applicant：株式会社マトリックス
マイクロ波プラズマ反応器
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平7-501806 Applicant：アプライドサイエンスアンドテクノロジーインコーポレーテッド

Show all

Return to Previous Page