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J-GLOBAL ID：200903062484400629
半導体レ-ザ装置及び結晶成長方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
稲村 悦男 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999294169
Publication number (International publication number)：2000091697
Application date： Feb. 14, 1992
Publication date： Mar. 31, 2000
Summary：
【要約】【課題】 製造工程の簡略化が図れ、信頼性の高い半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】 平坦面と傾斜面とが形成されたp-(AlYGa1-Y)InPクラッド層5上にn型ドーパントであるSeとp型ドーパントであるZnとの両方を含む半導体層が形成され、該半導体層は、前記平坦面上ではSeのキャリア濃度がZnのキャリア濃度よりも大きくn-GaAsブロック層6となり、前記傾斜面上ではZnのキャリア濃度がSeのキャリア濃度よりも大きくp-GaAs電流通路層7となることを特徴とする。
Claim (excerpt)：
平坦面と傾斜面とが形成された半導体上にn型ドーパントとp型ドーパントとの両方を含む半導体層が形成され、該半導体層は、前記平坦面上では前記n型ドーパントのキャリア濃度が前記p型ドーパントのキャリア濃度よりも大きくn型の電流ブロック層となり、前記傾斜面上では前記p型ドーパントのキャリア濃度が前記n型ドーパントのキャリア濃度よりも大きくp型の電流通路層となることを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (2)：
FI (2)：
Patent cited by the Patent：
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