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J-GLOBAL ID：200903062487351521

光起電力素子及びその製造方法

Inventor： 狩谷 俊光 ,  斉藤 恵志
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 福森 久夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996144547
Publication number (International publication number)：1997008340
Application date： Oct. 18, 1993
Publication date： Jan. 10, 1997
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、ZnO/pin層界面での光励起キャリアーの再結合の抑制を目的とする。【構成】 本発明の光起電力素子は、フッ素を含有する酸化亜鉛層の上に積層されたn型非晶質半導体層を有することを特徴とする。また、本発明の光起電力素子の製造方法は、真空容器内に基板を設置し、フッ素を含む酸化亜鉛をターゲットとし、スパッタガスを導入し、RF電力を印加し、プラズマを生起して、基板上にフッ素を含有する酸化亜鉛層を堆積することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

フッ素を含有する酸化亜鉛層の上に積層されたn型非晶質半導体層を有することを特徴とする光起電力素子。

IPC (6)：

H01L 31/04 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 27/00 301 ,  H01L 31/10

FI (6)：

H01L 31/04 M ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/205 ,  H01L 27/00 301 N ,  H01L 31/10 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 光起電力素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-259692   Applicant：キヤノン株式会社