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J-GLOBAL ID:200903062491217953

バリアメタルの形成方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 船橋 国則
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992269683
Publication number (International publication number):1994097111
Application date: Sep. 11, 1992
Publication date: Apr. 08, 1994
Summary:
【要約】【目的】 本発明は、窒化チタン膜よりなるバリアメタルの形成方法において、自然酸化膜の影響を除去して窒化処理とシリサイド化処理を行って、リーク電流がなくバリア性に優れたバリアメタルを形成する。【構成】 水素または例えば三フッ化窒素または塩素等のハロゲン系気体と窒素を含む気体との混合気体のプラズマ照射で、高融点金属膜(例えばチタン膜15)表面の自然酸化膜16を除去し、かつチタン膜15の表面を窒化する方法である。または水素またはハロゲン系気体のプラズマ照射で、高融点金属膜表面の自然酸化膜を除去した後、例えば窒素またはアンモニアによるプラズマ照射で、高融点金属膜表面を窒化する方法である。さらにその後、窒化アニール処理を行って高融点金属膜を窒化しかつ高融点金属膜と接触しているシリコン基板と当該高融点金属膜とを反応させてシリサイド膜を生成する方法である。
Claim (excerpt):
少なくとも窒素を含む水素気体または少なくとも窒素を含むハロゲン系気体のプラズマ照射によって、高融点金属膜表面の自然酸化膜を除去するとともに当該高融点金属膜表面を窒化することを特徴とするバリアメタルの形成方法。
IPC (3):
H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/90
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
  • 特開昭62-265718
  • 特開平2-046731

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