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J-GLOBAL ID：200903062501527131

磁気抵抗効果膜

Inventor： 田沼 俊雄 ,  久米 実
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 目次 誠 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994183722
Publication number (International publication number)：1996049062
Application date： Aug. 04, 1994
Publication date： Feb. 20, 1996
Summary：

【要約】【目的】 非磁性金属薄膜5によって仕切られた第1の強磁性薄膜層4及び第2の強磁性薄膜層6からなるサンドイッチ構造を有する磁気抵抗硬化膜において、高い磁気抵抗変化(MR比)及び高い磁界感度を得る。【構成】 第1の強磁性薄膜層4と、第2の強磁性薄膜層6とが、反強磁性的な磁気結合作用を示し、外部磁化の変化に伴い、第1の強磁性薄膜層4及び第2の強磁性薄膜層6の磁化がスピンフロップ的転移を伴い変化することを特徴としている。

Claim (excerpt)：

基体上に設けられる第1の強磁性薄膜層と、前記第1の強磁性薄膜層上に設けられる非磁性金属薄膜と、前記非磁性金属薄膜上に設けられ前記第1の強磁性薄膜層と異なる保磁力を有する第2の強磁性薄膜層とを備え、前記第1の強磁性薄膜層と第2の強磁性薄膜層の磁化が外部磁界の変化によりスピンフロップ的転移を伴い変化する磁気抵抗効果膜。

IPC (5)：

C23C 14/14 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/18 ,  H01F 10/26 ,  H01L 43/02